【2020年2月25日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）進一步擴展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出650V器件。其全新發(fā)布的CoolSiC? MOSFET滿足了包括服務(wù)器、電信和工業(yè)SMPS、太陽能系統(tǒng)、能源存儲和電池化成、不間斷電源（UPS）、電機控制和驅(qū)動以及電動汽車充電在內(nèi)的大量應(yīng)用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。

 

“隨著新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌完善了其600V/650V細分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導體產(chǎn)品組合，”英飛凌電源管理及多元化市場事業(yè)部高壓轉(zhuǎn)換業(yè)務(wù)高級總監(jiān)Steffen Metzger表示，“這凸顯了我們在市場中的獨特地位：英飛凌是市場上唯一一家能夠提供涵蓋硅、碳化硅和氮化鎵等材料的全系列功率產(chǎn)品的制造商。而全新CoolSiC?系列是我們矢志成為工業(yè)SiC MOSFET開關(guān)領(lǐng)域頭號供應(yīng)商的有力支持。”

 

650 V CoolSiC? MOSFET器件的額定值在27 mΩ-107 mΩ之間，既可采用典型的TO-247 3引腳封裝，也支持開關(guān)損耗更低的TO-247 4引腳封裝。與過去發(fā)布的所有CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品相比，全新650V系列基于英飛凌先進的溝槽半導體技術(shù)。通過最大限度地發(fā)揮碳化硅強大的物理特性，確保了器件具有出色的可靠性、出類拔萃的開關(guān)損耗和導通損耗。此外，它們還具備最高的跨導水平（增益）、4V的閾值電壓（Vth）和短路穩(wěn)健性。總而言之，溝槽技術(shù)可以在毫不折衷的情況下，在應(yīng)用中實現(xiàn)最低的損耗，并在運行中實現(xiàn)最佳可靠性。

 

與市面上其它硅基以及碳化硅解決方案相比，650 V CoolSiC? MOSFET能夠帶來更加吸引人的優(yōu)勢：更高開關(guān)頻率下更優(yōu)的開關(guān)效率以及出色的可靠性。得益于與溫度相關(guān)的超低導通電阻（RDS(on)），這些器件具備出色的熱性能。此外，它們還采用了堅固耐用的體二極管，有非常低的反向恢復電荷：比最佳的超結(jié)CoolMOS? MOSFET低80%左右。其換向堅固性，更是輕松實現(xiàn)了98%的整體系統(tǒng)效率，如通過連續(xù)導通模式圖騰柱功率因素校正（PFC）。

 

為了簡化采用650 V CoolSiC? MOSFET的應(yīng)用設(shè)計，確保器件高效運行，英飛凌還提供了專用的單通道和雙通道電氣隔離EiceDRIVER?柵極驅(qū)動器IC。這個解決方案（整合了CoolSiC?開關(guān)和專用的柵極驅(qū)動器IC）有助于降低系統(tǒng)成本和總擁有成本，以及提高能效。CoolSiC? MOSFET可與其它英飛凌EiceDRIVER?柵極驅(qū)動器系列IC無縫協(xié)作。

 

供貨情況 
650 V CoolSiC? MOSFET系列共8個版本，采用兩種插件TO-247封裝，現(xiàn)已支持訂購。三種專用柵極驅(qū)動器IC將于2020年3月起供貨。了解更多信息，請訪問www.infineon.com/coolsic-mosfet-discretes。